Silva González, Nicolás RutiloGracia y Jiménez, Justo MiguelSILVA GONZALEZ, NICOLAS RUTILO; 8622GRACIA Y JIMENEZ, JUSTO MIGUEL; 3187Vazquez Hernandez, Giovanna Angelica2020-11-052023-01-122020-11-052023-01-122015-08https://ecosistema.buap.mx/ecoBUAP/handle/ecobuap/2085"En este trabajo se sintetizaron nanopartículas de SnS2 y SnS2 impurificadas con cobre con el objetivo de modificar las propiedades ópticas y morfológicas del semiconductor. El crecimiento se realizó utilizando el método de baño químico modificado, es decir, en lugar de utilizar un sustrato se obtuvieron alícuotas para 1.5, 6, 8, 10 y 504 h de reacción, siendo este último valor el tiempo en el que concluyó la reacción. Las muestras fueron analizadas por absorción óptica, espectroscopía micro – Raman, difracción de rayos-X, microscopía electrónica de barrido (SEM) y espectroscopía de rayos-X de energía dispersiva (EDS). Los resultados de absorción óptica mostraron la presencia de bandas que corresponden a los precursores utilizados e intermediarios formados en la síntesis, cuya intensidad disminuyó al transcurrir el tiempo de reacción. En cuanto a la energía de banda prohibida (Eg) se observó que para las partículas a 504 h de tiempo de reacción el material sin impurificar está constituido por SnS y SnS2 en bulto y nanopartículas de SnS2. Por otro lado las partículas impurificadas muestran valores superiores de Eg con respecto al bulto, lo cual se asocia a la presencia de las impurezas aceptoras ionizadas en la red."pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRANanopartículas semiconductorasMateriales nanoestructuradosMicroscopía Electrónica de BarridoEspectroscopia de RamanEspectroscopia ópticaTeoría cuánticaTesis de maestríaopenAccess