Estudio de las propiedades ópticas y morfológicas de nanopartículas de SnS2 impurificadas con Cu

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorSilva González, Nicolás Rutilo
dc.contributorGracia y Jiménez, Justo Miguel
dc.contributor.advisorSILVA GONZALEZ, NICOLAS RUTILO; 8622
dc.contributor.advisorGRACIA Y JIMENEZ, JUSTO MIGUEL; 3187
dc.contributor.authorVazquez Hernandez, Giovanna Angelica
dc.creatorVAZQUEZ HERNANDEZ, GIOVANNA ANGELICA; 490779
dc.date.accessioned2020-11-05T16:06:39Z
dc.date.accessioned2023-01-12T20:20:10Z
dc.date.available2020-11-05T16:06:39Z
dc.date.available2023-01-12T20:20:10Z
dc.date.issued2015-08
dc.description.abstract"En este trabajo se sintetizaron nanopartículas de SnS2 y SnS2 impurificadas con cobre con el objetivo de modificar las propiedades ópticas y morfológicas del semiconductor. El crecimiento se realizó utilizando el método de baño químico modificado, es decir, en lugar de utilizar un sustrato se obtuvieron alícuotas para 1.5, 6, 8, 10 y 504 h de reacción, siendo este último valor el tiempo en el que concluyó la reacción. Las muestras fueron analizadas por absorción óptica, espectroscopía micro – Raman, difracción de rayos-X, microscopía electrónica de barrido (SEM) y espectroscopía de rayos-X de energía dispersiva (EDS). Los resultados de absorción óptica mostraron la presencia de bandas que corresponden a los precursores utilizados e intermediarios formados en la síntesis, cuya intensidad disminuyó al transcurrir el tiempo de reacción. En cuanto a la energía de banda prohibida (Eg) se observó que para las partículas a 504 h de tiempo de reacción el material sin impurificar está constituido por SnS y SnS2 en bulto y nanopartículas de SnS2. Por otro lado las partículas impurificadas muestran valores superiores de Eg con respecto al bulto, lo cual se asocia a la presencia de las impurezas aceptoras ionizadas en la red."es_MX
dc.folio481315Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://ecosistema.buap.mx/ecoBUAP/handle/ecobuap/2085
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator212470924es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccNanopartículas semiconductorases_MX
dc.subject.lccMateriales nanoestructuradoses_MX
dc.subject.lccMicroscopía Electrónica de Barridoes_MX
dc.subject.lccEspectroscopia de Ramanes_MX
dc.subject.lccEspectroscopia ópticaes_MX
dc.subject.lccTeoría cuánticaes_MX
dc.thesis.careerMaestría en Ciencias (en la Especialidad de Ciencias de Materiales)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas"es_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro (a) en Ciencias (Ciencias de Materiales)es_MX
dc.titleEstudio de las propiedades ópticas y morfológicas de nanopartículas de SnS2 impurificadas con Cues_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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