Estudio de la formación de estructuras de compuestos de metales de transición sobre superficies de GaN
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Date
2015-11
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Abstract
"Se realizaron cálculos de primeros principios para estudiar propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de superficies semiconductoras. Se uso la teoría del funcional de la densidad según se encuentra desarrollada en el código PWscf del paquete quantum espresso. En la primera parte se estudió la adsorción de metales de transición, Sc e Y, as´ı como la formación de nano estructuras de ScN e YN sobre las superficies GaN(0001) − (2 × 2) y GaN(0001) − (2 × 2). Se obtuvo que la difusión de Sc e Y es altamente probable en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) terminada en una bicapa de Ga (condiciones ricas en Ga). La difusi´on en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) es probable, con barreras de difusión de 0.08 eV y 0.13 eV para Sc e Y, respectivamente. Una monocapa de Sc e Y en la superficie GaN(0001) − (2 × 2) es m´as estable que un solo adatemos. Mientras que para la superficie GaN(0001) − (2 × 2) se observó que una monocapa de Sc es estable, pero una de Y desestabiliza la estructura. La energía de formación demostró la estabilidad de bicapas de ScN e YN sobre las superficie GaN(0001) − (2 × 2).”