Estudio de la formación de estructuras de compuestos de metales de transición sobre superficies de GaN

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorHernández Cocoletzi, Gregorio
dc.contributorRivas Silva, Juan Francisco
dc.contributor.advisorHERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338
dc.contributor.advisorRIVAS SILVA, JUAN FRANCISCO; 10118
dc.contributor.authorGuerrero Sánchez, Jonathan
dc.creatorGUERRERO SANCHEZ, JONATHAN; 376580
dc.date.accessioned2021-04-25T03:28:02Z
dc.date.accessioned2023-01-11T22:05:06Z
dc.date.available2021-04-25T03:28:02Z
dc.date.available2023-01-11T22:05:06Z
dc.date.issued2015-11
dc.description.abstract"Se realizaron cálculos de primeros principios para estudiar propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de superficies semiconductoras. Se uso la teoría del funcional de la densidad según se encuentra desarrollada en el código PWscf del paquete quantum espresso. En la primera parte se estudió la adsorción de metales de transición, Sc e Y, as´ı como la formación de nano estructuras de ScN e YN sobre las superficies GaN(0001) − (2 × 2) y GaN(0001) − (2 × 2). Se obtuvo que la difusión de Sc e Y es altamente probable en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) terminada en una bicapa de Ga (condiciones ricas en Ga). La difusi´on en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) es probable, con barreras de difusión de 0.08 eV y 0.13 eV para Sc e Y, respectivamente. Una monocapa de Sc e Y en la superficie GaN(0001) − (2 × 2) es m´as estable que un solo adatemos. Mientras que para la superficie GaN(0001) − (2 × 2) se observó que una monocapa de Sc es estable, pero una de Y desestabiliza la estructura. La energía de formación demostró la estabilidad de bicapas de ScN e YN sobre las superficie GaN(0001) − (2 × 2).”es_MX
dc.folio690115Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://ecosistema.buap.mx/ecoBUAP/handle/ecobuap/384
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator212570132es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductoreses_MX
dc.subject.lccElectroquímicaes_MX
dc.subject.lccFuncionales de densidades_MX
dc.subject.lccDistribución electrónicaes_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (en la Especialidad de Ciencia de Materiales)es_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas"es_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Ciencia de Materiales)es_MX
dc.titleEstudio de la formación de estructuras de compuestos de metales de transición sobre superficies de GaNes_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
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