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Item Implementación de un OTA con múltiples trayectorias para compensación de fase(2014-12) Corona López, Diego de Jesús; CORONA LOPEZ, DIEGO DE JESUS; 579690; Gonzalez Díaz, Víctor Rodolfo; 48264"Uno de los componentes mayormente utilizados en aplicaciones anal ogicas y de alta frecuencia es el Ampli cador Operacional de Transconductancia, llamado OTA (por sus siglas en ingl es). Los OTAs son dispositivos electr onicos que trans eren un voltaje de entrada en una corriente de salida, por lo que principalmente se emplean como transductores de voltaje a corriente y pueden ser representados como una fuente de corriente controlada por voltaje (VCCS, por sus siglas en ingl es); a diferencia de una VCCS, un OTA es tanto auto-polarizable como bipolar. La capacidad de ser controlado por corriente y la simplicidad que presentan las estructuras que emplean OTAs, es lo que hace al OTA tan atractivo."Item Estudio del coeficiente de transmisión del campo electromagnético en un sistema de estados puerta en microesferas multicapa(2017-08) Valdez Torija, Eduardo Alejandro; VALDEZ TORIJA, EDUARDO ALEJANDRO; 549540; Díaz De Anda, Alfredo“El mecanismo de estados puerta surge siempre que dos sistemas –uno de ellos con densidad de estados pequeña (estados puerta) y otro con una densidad de estados mucho mayor (mar de estados) estén acoplados y tengan ambos sistemas sus estados en el mismo intervalo de frecuencia o de energía. Los estados puerta se dispersan entre los estados del sistema completo modulándolos, obteniendo así una mayor amplitud para aquellos estados del sistema completo cercanos a ellos. A este efecto se le conoce como función de fuerza y se ha encontrado a distintas escalas métricas tanto en sistemas clásicos como en cuánticos por lo que lo hace importante debido a su universalidad.”Item Síntesis y caracterización de nanopartículas calcogenuras del sistema Cu-Zn-Sn-Ge(Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2018-12) Cancino Gordillo, Francisco Enrique; CANCINO GORDILLO, FRANCISCO ENRIQUE; 784149; PAL, UMAPADA; 16774"Este trabajo concierne a la síntesis y caracterización estructural y óptica de nano-/microestructuras calcogenuras del sistema Cu-Zn-Sn-Ge. Se sintetizaron nano-/microestructuras de Cu2ZnSn1-xGexSe4 con diferentes valores de x utilizando el método hidrotermal/solvotermal con GeO2 como precursor de Ge y Se elemental y cloruros/acetatos de los elementos Zn, Cu y Sn. Por otra parte, se fabricaron nanoestructuras de Cu2ZnSn1-xGexS4 con diferentes contenidos de Ge (diferentes valores de x) por el método hidrotermal."Item Estudio de la formación de estructuras de compuestos de metales de transición sobre superficies de GaN(2015-11) Guerrero Sánchez, Jonathan; GUERRERO SANCHEZ, JONATHAN; 376580; HERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338; RIVAS SILVA, JUAN FRANCISCO; 10118"Se realizaron cálculos de primeros principios para estudiar propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de superficies semiconductoras. Se uso la teoría del funcional de la densidad según se encuentra desarrollada en el código PWscf del paquete quantum espresso. En la primera parte se estudió la adsorción de metales de transición, Sc e Y, as´ı como la formación de nano estructuras de ScN e YN sobre las superficies GaN(0001) − (2 × 2) y GaN(0001) − (2 × 2). Se obtuvo que la difusión de Sc e Y es altamente probable en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) terminada en una bicapa de Ga (condiciones ricas en Ga). La difusi´on en la superficie de GaN(0001) − (2 × 2) es probable, con barreras de difusión de 0.08 eV y 0.13 eV para Sc e Y, respectivamente. Una monocapa de Sc e Y en la superficie GaN(0001) − (2 × 2) es m´as estable que un solo adatemos. Mientras que para la superficie GaN(0001) − (2 × 2) se observó que una monocapa de Sc es estable, pero una de Y desestabiliza la estructura. La energía de formación demostró la estabilidad de bicapas de ScN e YN sobre las superficie GaN(0001) − (2 × 2).”Item Síntesis y caracterización de soluciones coloidales con nanopartículas de silicio y su uso en estructuras Al/SC-Si-ncs/SiP/Si/Al(Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2014-11) Garzón Román, Abel; GARZON ROMAN, ABEL; 568124; LUNA LOPEZ, JOSE ALBERTO; 200808; GOMEZ BAROJAS, ESTELA; 3199“En el presente trabajo, se sintetizaron soluciones coloidales con nanopartículas de silicio (SC-Si-ncs) y las utilizamos para formar estructuras tipo Al/SC-Si-ncs/SiP/Si/Al. Las SCSi-ncs se obtuvieron a partir de capas de silicio poroso (SiP). Las diferentes características ópticas, estructurales y morfológicas de estas soluciones fueron medidas y estudiadas. Las mediciones de fotoluminiscencia (PL por sus siglas en inglés ―Photoluminescence‖) de las SC-Si-ncs, revelaron eficientes intensidades de emisión entre la región del azul-verde y el violeta. Los resultados de difracción de rayos X (XRD por sus siglas en inglés ―X Rays Diffraction‖) indicaron que las soluciones coloidales están compuestas de una gran cantidad de nanocristales de silicio. Los resultados de transmitancia obtenidos a partir de la técnica de espectroscopía ultravioleta-visible (UV-Vis por sus siglas en inglés ―Ultravioletvisible‖), fueron usadas para obtener la energía de banda prohibida, que varió de 2.3 a 3.5 eV, para las diferentes SC-Si-ncs. Las imágenes de microscopia electrónica de trasmisión (TEM por sus siglas en inglés ―Transmission Electronic Microscopy‖) mostraron realmente el tamaño y forma de los nanocristales de silicio contenidos en cada solución.”Item Estudio de ondas elásticas y oscilaciones de Bloch en multicapas de silicio poroso(Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2014-05) Lazcano Ortiz, Zorayda; LAZCANO ORTIZ, ZORAYDA; 50311; ARRIAGA RODRIGUEZ, J. JESUS; 5326"El objetivo de este trabajo es demostrar teórica y experimentalmente la aparición del fenómeno de las escaleras de Wannier-Stark y las oscilaciones de Bloch acústicas en sistemas de multicapas de silicio poroso. Con este propósito, primero se estudian las propiedades acústicas del silicio poroso, es decir, se determina la velocidad del sonido como función de la porosidad en muestras monocapas a través de la medición de la transmisión acústica y su análisis en el dominio temporal."Item Propiedades mecánicas de metales, semiconductores y aleaciones mediante cálculos de primeros principios(2015) Camacho García, José Humberto; CAMACHO GARCIA, JOSE HUMBERTO; 226426; RIVAS SILVA, JUAN FRANCISCO; 10118; BAUTISTA HERNANDEZ, ALEJANDRO; 83683“En este trabajo presentamos un estudio del esfuerzo ideal (a compresión hidrostática) aplicado a diferentes materiales cristalinos (metales, semiconductores y aleaciones), con el objetivo de comprender más a fondo las causas físicas que hacen inestable a un material. Por lo tanto, se estudiaron 7 metales de transición (Pb, Au, Ag, Pd, Pt, Rh, Ir) con estructura cúbica centrada en las caras (fcc por sus siglas en inglés) y también los metales Ti, Zr y Hf en una fase metaestable fcc. En el caso de los materiales semiconductores se estudiaron compuestos GaX (X=N, P, As, Sb, Bi) y MoX (X=V,Nb, Ta) para las aleaciones estudiadas. Para realizar dicho estudio se utilizó la Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT). Parámetros de red, módulos de compresibilidad, de corte, y de Young, se obtienen en estado base. Las constantes elásticas se obtienen en función de la presión aplicada. Las condiciones de estabilidad para los sistemas elásticos cúbicos bajo presión hidrostática son. donde Cij representan las constantes elásticas y representa el esfuerzo aplicado. La condición (1) corresponde a la desaparición del módulo de compresibilidad B0. La segunda condición de estabilidad (2) es propia de una inestabilidad de esfuerzo al corte cuando el sistema reduce su simetría hacia la tetragonal o la ortorrómbica.”